低温生长层状 PtSe₂ 薄膜的高性能混合电子器件
材料科学
2016-09-29 v2
摘要
层状二维（2D）材料在一系列应用中展现出巨大潜力，尤其是在电子学领域。我们报道了二硒化铂（PtSe₂）薄膜的大规模合成，这是一种迄今研究甚少的过渡金属二硫族化合物。重要的是，该热辅助转化合成在 400 ℃ 下进行，代表了将这种新型材料与硅（Si）技术直接集成的突破。除了对这种新型二维材料的全面表征，我们还展示了其在高性能气体传感中的应用前景，由于薄膜的二维特性，观察到了极短的响应和恢复时间。此外，我们实现了 PtSe₂ 与 Si 的垂直堆叠异质结构，该结构既可用作光电二极管，也可用作光伏电池。因此，本研究确立了 PtSe₂ 作为下一代传感器和（光）电子器件潜在候选材料的地位，其制备方案与现有 Si 技术兼容。
引用
@article{arxiv.1606.08673,
title = {High-performance hybrid electronic devices from layered PtSe2 films grown at low temperature},
author = {Chanyoung Yim and Kangho Lee and Niall McEvoy and Maria O Brien and Sarah Riazimehr and Nina C. Berner and Conor P. Cullen and Jani Kotakoski and Jannik C. Meyer and Max C. Lemme and Georg S. Duesberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08673},
year = {2016}
}