结构化二硒化铂器件的电学表征
材料科学
2017-07-24 v1
摘要
二硒化铂（PtSe2）是二维（2D）过渡金属硫族化物（TMD）家族中令人兴奋的新成员。当接近单层厚度时，它会发生半金属到半导体的转变，并已在器件应用中展现出巨大潜力。值得注意的是，PtSe2可以在低温下生长，使其可能适用于工业用途。在此，我们探讨了依赖于厚度的输运性质，并研究了PtSe2的电学接触，这是基于TMD的电子器件中一个关键且普遍的元素。PtSe2薄膜在不同厚度下合成，并经过结构化以允许接触工程和准确提取电学性质。比较了从传输线法（TLM）测量中提取的不同接触金属和不同PtSe2薄膜厚度的接触电阻率和方阻。此外，通过场效应器件的电学表征间接验证了PtSe2中从半金属到半导体的转变。最后，通过使用电子束光刻对接触区域进行纳米结构化，研究了金属-PtSe2界面的边缘接触影响。通过增加边缘接触长度，与具有传统顶部接触的器件相比，接触电阻率改善了高达70%。本文提出的结果代表了迈向实现基于第10族TMD的高性能纳米电子器件的关键步骤。
引用
@article{arxiv.1707.06824,
title = {Electrical characterization of structured platinum diselenide devices},
author = {Chanyoung Yim and Vikram Passi and Max C. Lemme and Georg S. Duesberg and Cormac Ó Coileáin Emiliano Pallechi and Dalal Fadil and Niall McEvoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.06824},
year = {2017}
}