基于大面积层状 PtSe$_{2}$ 薄膜的高灵敏机电压阻压力传感器

二维（2D）层状材料由于其极薄的特性，是微纳机电系统（MEMS/NEMS）的理想材料。二硒化铂（PtSe$_{2}$）是一种令人振奋且尚未被充分探索的二维过渡金属二硫族化物（TMD）材料，因其可扩展且低温的生长工艺与硅技术兼容而备受关注。在此，我们探讨了薄层 PtSe$_{2}$ 薄膜作为机电压阻传感器的潜力。所有实验均在 400{\deg}C 的 CMOS 兼容温度下，通过 Pt 的热辅助转化生长的半金属 PtSe$_{2}$ 薄膜上进行。我们报告了在悬臂梁弯曲实验装置中，从 PtSe$_{2}$ 应变计实验获得的高达 -84.8 的负应变计系数。具有独立 PMMA/PtSe$_{2}$ 薄膜的集成 NEMS 压阻压力传感器证实了该负应变计系数，并表现出极高的灵敏度，其性能比先前报道的数值高出数个数量级。我们采用密度泛函理论（DFT）计算来理解所测负应变计系数的起源。我们的结果表明，PtSe$_{2}$ 是未来 NEMS 应用的极具潜力的候选材料，包括集成到 CMOS 生产线中。