自上而下与自下而上技术制备 PtSe$_2$ 层的光谱厚度与质量度量
应用物理
2020-06-11 v2 材料科学
摘要
基于贵金属的过渡金属硫族化合物（如 PtSe）薄膜因其有趣的层数依赖性质与应用潜力而受到越来越多的关注。虽然将块体晶体剥离至单层与少层较为困难，但已建立一系列生长技术，所制备材料的质量与层数各异。然而，迄今为止尚无可靠的高通量表征方法来评估层数。在此，我们使用自上而下液相剥离（LPE）结合离心来制备具有不同尺寸与厚度的、广泛无基面缺陷的 PtSe 纳米片。通过统计原子力显微镜对横向尺寸进行量化，使我们能够将光学光谱中包含的信息与尺寸定量关联。对于 LPE 纳米片，我们基于消光光谱建立了横向尺寸与层数的度量。此外，我们将 LPE 纳米片的拉曼光谱响应与微机械剥离 PtSe 以及由一系列自下而上技术制备的薄膜进行比较。我们证明 Eg1 峰位置与 Eg1/A1g1 峰强度比可作为跨所有样品类型的层数稳健度量，并将在未来 PtSe 薄膜的基准测试中具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2006.04165,
title = {Spectroscopic thickness and quality metrics for PtSe$_2$ layers produced by top-down and bottom-up techniques},
author = {Beata M. Szydłowska and Oliver Hartwig and Bartlomiej Tywoniuk and Tomáš Hartman and Tanja Stimpel-Lindner and Zdeněk Sofer and Niall McEvoy and Georg S. Duesberg and Claudia Backes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.04165},
year = {2020}
}
备注
20 pages, 3 figures