单层 MoSe2-WSe2 横向异质结的纳米光学成像
材料科学
2017-12-01 v1
摘要
近场光学显微镜可作为一种可行途径来理解衍射极限以下的纳米尺度材料性质。另一方面，原子级薄二维（2D）过渡金属硫族化合物（TMDs）是近来备受关注、用于研究电荷载流子、光子和声子空间受限的材料。基于 Mo 或 W 的单层 TMDs 异质结构形成 II 型能带排列，因此光激发的载流子可轻易分离，用于光电子学相关应用。以纳米空间分辨率绘制异质结构中这些空间受限的载流子或光子及其在界面的复合行为，对于这些材料在未来高性能光电子学中的有效使用是必要的。我们进行了针尖增强光致发光（TEPL）成像，以提高通过化学气相沉积（CVD）方法生长的多结单层 MoSe2-WSe2 横向异质结的空间分辨率。近场纳米 PL 发射图用于区分明显的晶界以及跨界面的不均匀性。该方法显著提高了 2D 材料的纳米尺度分辨率，特别是用于理解异质界面附近的 PL 发射性质。
引用
@article{arxiv.1711.11164,
title = {Nano-optical imaging of monolayer MoSe2-WSe2 lateral heterostructure},
author = {Wenjin Xue and Jiru Liu and Haonan Zong and Xiaoyi Lai and Prasana K. Sahoo and Humberto R. Gutierrez and Dmitri V. Voronine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.11164},
year = {2017}
}