二维半导体横向异质结界面的纳米尺度拉曼表征
应用物理
2021-11-02 v1 材料科学
摘要
二维单层半导体横向异质结中界面的性质，包括其组成、尺寸与异质性，关键地影响着其为下一代光电子学中的二维系统所带来的功能。在此，我们利用针尖增强拉曼散射（TERS）以50 nm空间分辨率表征单层MoS2/WS2横向异质结中的界面。共振与非共振TERS光谱揭示该界面为合金化，其尺寸在单一晶畴内变化超过一个数量级——从50至600 nm。共振与非共振拉曼光谱连续界面演化的纳米尺度成像，使得单层MoS2、MoxW1-xS2与WS2中若干振动模式的缺陷激活、共振增强与材料组成得以解卷积。结果证明了纳米尺度TERS光谱在阐明二维材料宏观结构-性质关系，以及在与器件至关重要的长度尺度上表征二维系统横向界面方面的能力。
引用
@article{arxiv.2111.00135,
title = {Nanoscale Raman Characterization of a 2D Semiconductor Lateral Heterostructure Interface},
author = {Sourav Garg and J. Pierce Fix and Andrey V. Krayev and Connor Flanery and Michael Colgrove and Audrey R. Sulkanen and Minyuan Wang and Gang-Yu Liu and Nicholas J. Borys and Patrick Kung},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.00135},
year = {2021}
}
备注
47 pages, 7 main figures, 7 SI Figures, submitted