MoSe2中纳米突起的纳米拉曼光谱分析
光学
2025-09-15 v1
摘要
二维异质结构形成过程中的杂质会阻碍或生成所需的特性。近期的进展凸显了针对2D半导体器材类的tip增强拉曼光谱（TERS）的潜力。在本工作中，我们利用纳米拉曼光谱研究了基底上沉积单层MoSe中50-200nm大小纳米突起的影响，建立了局部杂质存在与观察高光谱变异之间的关联。建立了一个用于表面杂质识别的性能指标，基于MoSe峰值比。值得注意的是，识别出了新的光谱峰，这些峰与纳米突起的存在相关，可能指示了杂质和氧化。
引用
@article{arxiv.2505.19224,
title = {Nano-Raman Spectroscopy Analysis of Nanoprotuberances in MoSe2},
author = {Jane Elisa Guimarães and Rafael Nadas and Rayan Alves and Wenjin Zhang and Takahiko Endo and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Riichiro Saito and Yasumitsu Miyata and Bernardo R. A. Neves and Ado Jorio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.19224},
year = {2025}
}