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二维 MoS2 中的 Kondo 杂质用于实现超高热电功率因子

介观与纳米尺度物理 2019-01-16 v1 材料科学

摘要

由于共振散射,二维(2D)纳米片中由原子空位引起的局域磁性杂质预计会对电荷输运产生深远影响,并为通过 Kondo 效应增强热电性能提供途径。然而,这些杂质的影响常被外部涨落和涡轮层状界面所掩盖,因此实验上探测磁性杂质与热电参数之间的关联极具挑战性。本工作中,我们展示通过将二硫化钼置于六方氮化硼衬底上,在硫空位处观察到高达约 50.0 meV 的导带子能带巨大自旋分裂,表明这些是局域磁态。输运测量揭示了高导电 n 型 MoS2 中源于 Kondo 效应描述的费米能级附近准粒子共振的大反常正 Seebeck 系数。此外,通过调节化学势,在低维材料中实现了 50 mW/mK2 的创纪录功率因子。我们的工作表明,二维材料的缺陷工程为控制 Kondo 杂质和调控热电输运提供了一种策略。

关键词

引用

@article{arxiv.1901.04661,
  title  = {Kondo Impurities in Two Dimensional MoS2 for Achieving Ultrahigh Thermoelectric Powerfactor},
  author = {Jing Wu and Yanpeng Liu and Yi Liu and Yongqing Cai and Yunshan Zhao and Hong Kuan Ng and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Gang Zhang and Chengwei Qiu and Dongzhi Chi and AH Castro Neto and John TL Thong and Kian Ping Loh and Kedar Hippalgaonkar},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1901.04661},
  year   = {2019}
}

备注

20 pages, 5 figures