亚衍射极限下杂质掺入单根GaN纳米线的局域针尖增强拉曼光谱研究
材料科学
2016-05-12 v1
摘要
报道了在亚衍射极限下，利用Au纳米粒子辅助针尖增强拉曼光谱(TERS)倏逝场中的晶格振动模式，研究单根GaN纳米线中杂质的局域效应。通过催化辅助气液固过程中的化学气相沉积技术生长了含O杂质和Mg掺杂剂的GaN纳米线。对于未掺杂和掺杂纳米线均观察到纤锌矿GaN的对称允许拉曼模式。对于未掺杂和Mg掺杂GaN单纳米线的TERS研究，观察到非中心区边界模式异常强的强度。对于未掺杂和Mg掺杂GaN样品也观察到A1对称的表面光学模。然而，纵向光学(LO)声子与自由电子的强耦合仅报道在具有非对称A1(LO)模式的富O单纳米线中。局域振动模式的研究显示了单根GaN纳米线中Mg作为掺杂剂的存在。
引用
@article{arxiv.1605.03295,
title = {Localized tip enhanced Raman spectroscopic study of impurity incorporated single GaN nanowire in the sub-diffraction limit},
author = {A. Patsha and S. Dhara and A. K. Tyagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03295},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 3 figures, Journal