分子束外延自催化生长 GaAs 纳米线可控高效 n 型掺杂路线图
材料科学
2021-04-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
GaAs 纳米线的 n 型掺杂已被证明十分困难，因为硅杂质的双性特征被纳米线生长机制与生长条件所增强。本文展示了利用 Te 施主通过自催化分子束外延可控生长载流子密度高达 10^20 electron/cm^3 的 n 型 GaAs 纳米线。通过单根纳米线场效应器件中的输运测量与开尔文探针力显微镜分析相结合，提取了高掺杂纳米线的载流子密度与电子迁移率。利用低温光致发光表征了跨越多个杂质浓度数量级的 Te 掺杂纳米线。这些技术的联合使用使得精确界定有效 Te 掺入所需的生长条件成为可能。
引用
@article{arxiv.2104.04218,
title = {A Roadmap for Controlled and Efficient n-type Doping of Self-assisted GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy},
author = {Marta Orrù and Eva Repiso and Stefania Carapezzi and Alex Henning and Stefano Roddaro and Alfonso Franciosi and Yossi Rosenwaks and Anna Cavallini and Faustino Martelli and Silvia Rubini},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.04218},
year = {2021}
}