用于超导混合器件的 Te 掺杂选区生长 InAs 纳米线
介观与纳米尺度物理
2021-10-19 v1
摘要
半导体纳米线已成为马约拉纳物理和量子计算中超导混合器件的多功能组件。纳米线的传输特性可以通过场效应或掺杂进行调控。我们研究了一系列通过使用碲进行 n 型掺杂来改变电导率的 InAs 纳米线。除了电子显微镜研究外，还使用原子探针层析技术对纳米线进行了检测，以获取有关 Te 原子局部掺入的信息。研究发现，Te 原子主要积聚在纳米线的核心以及 {110} 侧面的角落处。传输测量也证实了 n 型掺杂的效率。作为演示性的混合器件，使用纳米线作为弱连接制备了约瑟夫森结。相应的测量表明，临界电流随掺杂浓度的增加而明显增加。
引用
@article{arxiv.2110.09352,
title = {Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices},
author = {Pujitha Perla and Anton Faustmann and Sebastian Koelling and Patrick Zellekens and Russell Deacon and H. Aruni Fonseka and Jonas Kölzer and Yuki Sato and Ana M. Sanchez and Oussama Moutanabbir and Koji Ishibashi and Detlev Grützmacher and Mihail Ion Lepsa and Thomas Schäpers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.09352},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 9 figures