Te 掺杂对自催化 VS InAs 纳米线的影响
材料科学
2020-07-07 v1
摘要
我们报道了通过分子束外延在硅 (111) 衬底上生长 Te 掺杂自催化 InAs 纳米线。随着掺杂水平升高，观察到纳米线形态发生变化，即长度减小且直径增大。基于透射电子显微镜和 X 射线衍射的晶体结构分析表明，如果在生长过程中提供 Te，锌混合/(纤锌矿+锌混合) 段的比例会提高。此外，两点电学测量表明，增加 Te 掺杂会导致电导率增加。分析了两个可比的生长系列，它们仅在 As 分压相差约 而保持所有其他参数不变，以研究不同的 Te 掺杂水平。它们的比较表明，对于在相对较高的 As 分压下生长的纳米线，其晶体结构受到的影响更大，且电导率的增加更为明显。
引用
@article{arxiv.1709.09731,
title = {Influence of Te-doping on self-catalyzed VS InAs nanowires},
author = {Nicholas A. Güsken and Torsten Rieger and Gregor Mussler and Mihail Ion Lepsa and Detlev Grützmacher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.09731},
year = {2020}
}