无催化剂 Be 掺杂 GaAs 纳米线中的掺杂掺入路径
材料科学
2013-06-14 v1
摘要
通过对具有不同掺杂分布的纳米线进行电学测量，研究了分子束外延中通过 Ga 辅助法生长的 GaAs 纳米线中 Be 的掺入路径。我们发现 Be 原子优先通过纳米线侧面小面掺入，而通过 Ga 液滴的掺入路径可忽略不计。我们还证明 Be 可以扩散到纳米线体积中，从而提供另一种掺入路径。这项工作是迈向纳米线可控掺杂的重要一步，并将有助于设计基于纳米线的未来器件。
引用
@article{arxiv.1210.1670,
title = {Doping incorporation paths in catalyst-free Be-doped GaAs nanowires},
author = {Alberto Casadei and Peter Krogstrup and Martin Heiss and Jason A. Röhr and Carlo Colombo and Thibaud Ruelle and Shivendra Upadhyay and Claus B. Sørensen and Jesper Nygård and Anna Fontcuberta i Morral},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.1670},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures