使用聚合物电解质实现重掺杂III-V族半导体纳米线的近热极限栅控
介观与纳米尺度物理
2018-02-14 v2 软凝聚态物质
摘要
掺杂是降低纳米线晶体管导通电阻的常用途径，但存在局限性。高掺杂水平会导致栅极性能显著下降，并最终使栅极完全失效。我们证明，即使GaAs纳米线中的Be掺杂浓度高到使传统金属-氧化物栅极失效，电解质栅控仍然有效。在此条件下，我们获得了亚阈值摆幅和接触电阻的组合性能，超越了现有最佳的p型纳米线MOSFET。我们75 mV/dec的亚阈值摆幅在室温热极限的25%以内，与n-InP和n-GaAs纳米线MOSFET相当。我们的结果为扩展纳米线晶体管的性能和应用开辟了新途径，并激励了针对纳米尺度器件应用的改进型固态电解质的进一步研究。
引用
@article{arxiv.1710.06950,
title = {Near-thermal limit gating in heavily-doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes},
author = {A. R. Ullah and D. J. Carrad and P. Krogstrup and J. Nygård and A. P. Micolich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.06950},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 2 figures, supplementary available at journal