n 型 Ge 中欧姆接触的激光掺杂
材料科学
2015-06-23 v1
摘要
通过在金属接触和 Ge 衬底之间创建强掺杂的薄 Ge 层，我们在标准 n 型掺杂 Ge 样品上实现了低至 5 K 的欧姆接触。得益于所使用的激光掺杂技术，即气体浸没激光掺杂 (Gas Immersion Laser Doping)，我们获得了超过固溶度极限的极高掺杂浓度，从而降低了金属/掺杂 Ge 的接触电阻。我们独立测试了掺杂浓度和掺杂层厚度的影响，结果表明随着掺杂浓度的增加欧姆接触得到改善，而改变掺杂厚度则无影响。此外，我们对掺杂 Ge/Ge 接触进行了表征，表明在高掺杂条件下，其接触电阻是总接触电阻的主要贡献者。
引用
@article{arxiv.1411.4325,
title = {Laser doping for ohmic contacts in n-type Ge},
author = {F. Chiodi and A. D. Chepelianskii and C. Gardes and G. Hallais and D. Bouchier and D. Débarre},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.4325},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures