高度硼激光掺杂硅中硼对的证据
材料科学
2022-07-07 v1
摘要
对硼浓度介于0.02 at.%与12 at.%之间的硼掺杂硅进行了二次离子质谱与霍尔效应测量。通过用BCl3饱和硅片的化学吸附位点，随后进行纳秒激光退火（气体浸没激光掺杂）实现超高硼掺杂。因此硼浓度随工艺重复次数近乎线性变化。然而空穴浓度并非如此，其在高硼浓度下趋于饱和。硼浓度与空穴浓度之差随硼浓度的平方增大，表明硼对的形成是失活硼增加的主要贡献。
引用
@article{arxiv.2207.02520,
title = {Evidence of boron pairs in highly boron laser doped silicon},
author = {Léonard Desvignes and Francesca Chiodi and Géraldine Hallais and Dominique Débarre and Giacomo Priante and Feng Liao and Guilhem Pacot and Bernard Sermage},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.02520},
year = {2022}
}