用于中间带太阳能电池的立方 SiC 硼掺杂：扫描透射电子显微镜研究
材料科学
2018-12-11 v4
摘要
硼 具有在立方碳化硅 (3C-SiC) 中产生中间带的潜力，可将该材料转化为单结太阳能电池的高效吸收体。形成离域带需要高浓度的外来元素，但 B 在 SiC 的 3C 多型体中的析出行为尚不清楚。本文利用探针校正扫描透射电子显微镜和二次离子质谱研究了 B 离子注入 3C-SiC 中析出机制随温度变化的函数关系。在 1273 K 退火后检测到点缺陷团簇，而在 1573 - 1773 K 范围内形成了层错、富 B 析出物和位错网络。析出物采用菱面体 B13C2 结构，并在高达 1773 K 时捕获 B。在此温度之上，更高的溶解度减少了析出，自由的 B 扩散出注入层。在 1873 K 时实现了 E19 at.cm-3 的掺杂浓度。
引用
@article{arxiv.1804.06532,
title = {Boron-doping of cubic SiC for intermediate band solar cells: a scanning transmission electron microscopy study},
author = {Patricia Almeida Carvalho and Annett Thørgesen and Quanbao Ma and Daniel Nielsen Wright and Spyros Diplas and Augustinas Galeckas and Alexander Azarov and Valdas Jokubavicius and Jianwu Sun and Mikael Syväjärvi and Bengt Gunnar Svensson and Ole Martin Løvvik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.06532},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 10 figures