利用聚焦离子束辅助化学气相沉积直接图形化硼掺杂非晶碳
材料科学
2022-09-28 v1
摘要
通过三苯基硼（C18H15B）与三苯基硼酸酯（C18H15BO3）的聚焦离子束辅助化学气相沉积，在 SiO2 衬底上实现了硼掺杂非晶碳薄膜的沉积。利用核心能级 X 射线光电子能谱分析，确认了在 90 {\deg}C 前驱体温度下由三苯基硼沉积的薄膜中存在硼。该薄膜表现出带隙为 285 meV 的半导体行为。尽管经过退火处理后带隙减小至 197 meV，薄膜仍为半导体。此外，利用金刚石对顶砧进行的原位电输运测量观察到施加压力后沉积薄膜电阻的急剧下降。
引用
@article{arxiv.1908.09273,
title = {Direct Patterning of Boron-doped Amorphous Carbon Using Focused Ion Beam-assisted Chemical Vapor Deposition},
author = {Ryo Matsumoto and El Hadi S. Sadki and Hiromi Tanaka and Sayaka Yamamoto and Shintaro Adachi and Hiroyuki Takeya and Yoshihiko Takano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09273},
year = {2022}
}