六方重硼掺杂碳化硅的超导电性
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
2004年重硼掺杂金刚石(C:B)中超导电性的发现引发了人们对宽禁带半导体超导相的日益关注。随后，在重硼掺杂立方硅(Si:B)中发现了超导电性，最近又在重硼掺杂碳化硅(SiC:B)的化学计量“混合物”中发现了超导电性。与II类超导体C:B和Si:B相反，后一系统出人意料地表现出I类超导电性。这里我们将重点研究两种不同的硼掺杂SiC超导样品的比热。其中一个样品包含立方和六方SiC，而另一个样品主要由六方SiC组成，没有可检测到的立方相。两种SiC:B样品在超导态下的电子比热都可以通过假设BCS型指数温度依赖性或幂律行为来描述。
引用
@article{arxiv.0808.0231,
title = {Superconductivity of hexagonal heavily-boron doped silicon carbide},
author = {M. Kriener and T. Muranaka and Z. -A. Ren and J. Kato and J. Akimitsu and Y. Maeno},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.0231},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 1 figures