硼掺杂周期性弯曲金刚石中的电子和正电子沟道效应及光子发射过程

本文对硼原子掺杂金刚石层中 (-110) 晶面方向的轮廓进行了理论和数值分析。对于遵循硼浓度在晶体介质中距离的几种理想依赖关系的周期性掺杂，分析了其平面轮廓。针对入射到在欧洲同步辐射装置（ESRF）生长的具有四周期弯曲轮廓的硼掺杂金刚石上的 855 MeV 电子束和 530 MeV 正电子束，对沟道效应和光子发射过程进行了数值模拟。模拟使用 MBN Explorer 软件包进行。结果表明，沟道效率和晶体摆动辐射的强度强烈依赖于入射束相对于硼掺杂层入口处弯曲沟道轮廓的取向。在晶体入口处相同条件下，正电子发射的辐射强度显著高于电子。