855 MeV 电子在硼掺杂 (110) 金刚石波荡器中的平面沟道效应——案例研究

采用化学气相沉积法并掺硼，在有效厚度为 165.5 $\mu$m 的直金刚石晶体上制备了一个厚度为 20 $\mu$m 的 4 周期金刚石波荡器。利用 Mainz Microtron MAMI 加速器设施的 855 MeV 电子束进行了平面 (110) 沟道实验，以观测预期的波荡器峰。该搜索由个人计算机上的模拟计算指导。该代码基于连续势图像以及显式包含粒子加速度的经典电动力学表达式。结果，找出了一个出乎意料的最佳观测角，在该角度下波荡器峰最强，且来自衬底晶体的沟道辐射被显著抑制。然而，并未观测到波荡器峰。讨论了所制备的波荡器结构的影响。测量了随机取向下 75 $\mu$m Kapton、25 $\mu$m 铝箔和 70.7 $\mu$m 金刚石薄板的散射分布。将结果与非晶介质的 Moli\`ere 散射理论进行了比较。Kapton 和铝的结果吻合极好，而对于金刚石，实验宽度小了 21%。这种减小被解释为单晶中的相干散射抑制。在电子束相对于 (110) 面倾斜入射时，观察到了明显的类似于部分束流偏转的不对称性。我们从启发式角度将此现象解释为再沟道效应。