晶体波荡器中电子相干辐射过程的模拟
加速器物理
2018-04-04 v1
摘要
当高能电子沿某一晶面在晶体中运动时，可能出现平面沟道现象，即粒子在由晶面连续势形成的沟道中运动。即使原子晶面弱弯曲，这种晶体中的粒子运动对大多数粒子仍得以保持。在 [1-3] 中考虑了此类装置中沟道电子的辐射过程。表明此时晶体中粒子的辐射谱包含与沟道内沟道粒子的振荡周期以及晶面弯曲周期相关的最大值。在 [4] 中考虑了具有大晶面弯曲振幅的晶体波荡器中的辐射过程。此时穿越晶面的粒子轨迹接近于直线。这允许在粒子与晶体场相互作用的一阶近似下解析地考虑辐射过程。该文展示了辐射中显现相干与干涉效应从而导致高辐射强度的可能性。考虑粒子散射中的非相干效应会导致粒子从势垒下态到势垒上态以及相反的相互跃迁。这种情况下的辐射过程分析可基于该过程的数值模拟方法进行。本文基于 [5] 中提出的直接晶体中辐射过程模拟方法发展了这样一种方法。我们给出了 1 和 10 GeV 电子在不同平面弯曲振幅下晶体波荡器中辐射的若干模拟结果。计算在辐射理论的偶极近似下进行，并考虑了辐射中的反冲效应。
引用
@article{arxiv.1711.10899,
title = {Simulation of the electron coherent radiation process in a crystalline undulator},
author = {N. F. Shul'ga and V. I. Truten'},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.10899},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 5 figures, conference RREPS-17