弯曲硅晶体中电子沟道效应的模拟
加速器物理
2013-07-26 v1
摘要
我们报告了关于弯曲硅晶体中电子沟道效应的理论模拟结果。利用新开发的 MBN Explorer 软件包 [2,3] 中的部分 [1]，计算了超相对论电子在晶体中的动力学过程；该部分通过积分相对论运动方程并考虑入射粒子与晶体原子间的相互作用，模拟了晶体介质中的经典轨迹。采用蒙特卡洛方法对入射电子进行采样，并计入晶体原子的热振动。研究了弹射能量为 195--855 MeV 且弯曲晶体曲率不同时，电子沿 Si(110) 晶面的沟道效应。
引用
@article{arxiv.1307.6777,
title = {Simulations of electron channeling in bent silicon crystal},
author = {G B Sushko and V G Bezchastnov and A V Korol and Walter Greiner and A V Solov'yov and R G Polozkov and V K Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.6777},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 4 figures