855 MeV电子在硅中的平面沟道效应：蒙特卡罗模拟
加速器物理
2017-09-26 v3
摘要
提出了一种新的蒙特卡罗代码，用于模拟超相对论带电抛射体在单晶中的沟道效应。给出了底层物理模型和计算算法的详细描述。展示了使用该代码对855 MeV电子在硅晶体中沟道效应获得的初步结果。估算了(100)、(110)和(111)晶面的退沟道长度。为了验证该代码，计算了沟道辐射强度随晶体沿束流方向尺寸的变化。观察到所得结果与近期实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.1008.1707,
title = {Planar Channeling of 855 MeV Electrons in Silicon: Monte-Carlo Simulations},
author = {Andriy Kostyuk and Andrei Korol and Andrey Solov'yov and Walter Greiner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1707},
year = {2017}
}
备注
22 pages, 10 figures. Version 3: misprints in Eqs. (2) and (29) have been corrected