周期性弯曲硅晶体中多 GeV 电子和正电子的辐射
加速器物理
2015-06-19 v1
摘要
研究表明，周期性弯曲的 Si 晶体可有效地用于在伽马射线能谱范围内产生高度单色的辐射。短周期小振幅的弯曲会在多 GeV 电子和正电子穿过晶体沟道时产生的辐射中产生窄的波荡器型谱峰。通过对宏观传播距离上弹丸 - 晶体相互作用的全原子方法模拟沟道效应，获得了关于该波荡器的基准理论结果。这些模拟通过利用 MBN Explorer 软件包进行介观、生物和纳米尺度的分子动力学计算而得以促进。超相对论沟道弹丸的辐射是在准经典形式体系内计算的。研究表明，量子反冲效应在伽马射线波荡器辐射中非常显著。
引用
@article{arxiv.1405.6525,
title = {Radiation from multi-GeV electrons and positrons in periodically bent silicon crystal},
author = {Victor G. Bezchastnov and Andrei V. Korol and Andrey V. Solovyov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.6525},
year = {2015}
}