关于“多 GeV 电子与正电子在周期弯曲硅晶体中的辐射”的评论
加速器物理
2019-10-29 v2 原子物理
计算物理
摘要
对具有小振幅和短周期的晶体波动器（crystalline undulator）中电子和正电子沟道效应的模拟（A Kostyuk, Phys. Rev. Lett. 110 (2013) 115503）被 V G Bezchastnov, A V Korol 和 A V Solov'yov (J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 47 (2014) 195401) 使用另一计算机代码 MBN Explorer 重复，该代码实现了不同的晶体原子对入射粒子散射的模型，但参数集相同。后一篇论文的作者声称，与前一篇论文的方法相比，他们的方法能够在模拟轨迹图中观察到短周期波动器振荡。事实上，波动器振荡在具有小振幅沟道振荡的轨迹段上变得可见。这对两种方法同样成立。Bezchastnov 等人声称其模型“更精确”是没有根据的。此外，有迹象表明他们的计算存在严重错误：用 MBN Explorer 获得的轨迹中波动器振荡的相位彼此不一致，且与已确立的受迫振荡特性不符。
引用
@article{arxiv.1709.08007,
title = {Comment on `Radiation from multi-GeV electrons and positrons in periodically bent silicon crystal'},
author = {Andriy Kostyuk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.08007},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 1 figure. The present version, v2, is shorter than v1, because a part of material has been moved to arXiv:1802.02529. Still, v2 is more detailed than the journal version