855 MeV 电子在非晶与晶体硅中的多重散射：模拟与实验对比
计算物理
2023-08-24 v1 加速器物理
数据分析、统计与概率
摘要
利用两类描述电子-原子相互作用的势，通过相对论分子动力学模拟研究了 855 MeV 电子穿过非晶硅板与取向硅晶体时所经历多重散射的角分布函数。分析了束流粒子在两种介质中角分布的差异。所得结果与实验数据及蒙特卡洛模拟结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.2308.11657,
title = {Multiple scattering of 855 MeV electrons in amorphous and crystalline silicon: simulations versus experiment},
author = {German Rojas-Lorenzo and Jesus Rubayo-Soneira and Maykel Marquez-Mijares and Andrei V. Korol and Andrey V. Solov'yov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.11657},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 4 figures