掺杂对立方氮化硼晶格参数与性质的影响
材料科学
2021-03-02 v1
摘要
研究了用铍、硅、硫和镁掺杂立方氮化硼对其晶格参数、电导率与 EPR 谱的影响。确定的是，与在 4.2 GPa 和 1400{\deg}C 下由 Mg-B-N 体系熔体中的常规合成相比，在 3.9-4.2 GPa 和 1100{\deg}C 下由超临界氨中 BN 溶液结晶立方氮化硼时，掺杂程度显著增大。用硅和铍掺杂使立方氮化硼呈现半导体性质。
引用
@article{arxiv.2012.12134,
title = {The effect of doping on the lattice parameter and properties of cubic boron nitride},
author = {Vladimir A. Mukhanov and Alexandre Courac and Vladimir L. Solozhenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.12134},
year = {2021}
}