MoS$_2$/BN异质结构中杂质引起的间接掺杂效应
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
我们对六方BN与MoS单层异质结构进行了密度泛函理论计算，以评估BN片层中的掺杂以及间隙Na原子对相邻MoS层电子性质的影响。我们的计算预测，氧、碳和硫杂质对氮化硼子系统的型掺杂会导致显著的电荷转移到MoS片的导带中，而铍和碳的型掺杂则使二硫化钼层基本不受影响。插层的钠原子导致异质结构中层间距显著增加，并使MoS子系统呈现金属基态。此类型掺杂剂的存在导致价带和导带偏移发生明显变化，这表明掺杂的BN仍可作为型MoS应用的合适衬底和栅极材料。
引用
@article{arxiv.1403.5511,
title = {Indirect doping effects from impurities in MoS$_2$/BN heterostructures},
author = {Roland Gillen and John Robertson and Janina Maultzsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.5511},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 7 figures