MoS2-NbS2 体系内双向掺杂的第一性原理研究
材料科学
2009-07-09 v1
摘要
我们系统研究了混合钼 - 铌二硫化物的稳定性及其结构和电子性质。利用密度泛函理论，我们研究了由 Nb（Mo）原子对 MoS2（NbS2）进行高达 25% 的双向掺杂，重点关注掺杂剂在宿主晶格中的精确排列。我们发现，在整个考虑的浓度范围内，MoS2 的 Nb 掺杂通过置换机制发生。对于 NbS2 中的 Mo，取决于具体的合成条件，间隙掺杂和置换掺杂可以共存。本文展示了掺杂引起的完美体系统结构和电子性质的变化分析。我们表明，置换 Nb 原子向 MoS2 引入电子空穴，导致半导体 - 金属转变。另一方面，NbS2 的 Mo 掺杂并未改变初始系统的金属行为。本研究结果与现有的混合 MoS2-NbS2（体材料和纳米颗粒）实验数据进行了比较。
引用
@article{arxiv.0806.1411,
title = {Ab initio study of bilateral doping within the MoS2-NbS2 system},
author = {Viktoriya V. Ivanovskaya and Alberto Zobelli and Alexandre Gloter and Nathalie Brun and Virginie Serin and Christian Colliex},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.1411},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures