伊辛超导合金中电子性质的 nontrivial 掺杂演化
材料科学
2022-03-16 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
超导电性
摘要
过渡金属硫族化物为设计具有定制特性的二维材料以探索新颖结构与电子相变提供了前所未有的灵活性。在这项工作中,我们利用低温(300 mK)扫描隧道显微镜与谱学(STM/STS),展示了单层 NbMoSe 在整个合金组分范围(0 < < 1)内电子基态的原子尺度演化。特别地,我们研究了这种二维合金在金属到半导体转变(单层 NbSe 到 MoSe)过程中的原子与电子结构。我们的测量让我们提取了 Mo 原子的有效掺杂、带隙演化与能带移动,它们均随 单调变化。此外,我们证明了集体电子相(电荷密度波与超导)对无序具有显著的鲁棒性。我们进一步表明超导 随掺杂非单调变化。这种正常态与超导态中的对比行为利用第一性原理计算得以解释。我们表明 Mo 掺杂降低了费米能级处的态密度以及随 Mo 含量变化的破对自旋涨落幅度。我们的结果描绘了二维 TMD 合金中电子结构演化的详细图像,这对未来的二维材料设计极为重要。
引用
@article{arxiv.2203.07432,
title = {Nontrivial doping evolution of electronic properties in Ising-superconducting alloys},
author = {Wen Wan and Darshana Wickramaratne and Paul Dreher and Rishav Harsh and I. I. Mazin and Miguel M. Ugeda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.07432},
year = {2022}
}