失配层状化合物：重掺杂二维过渡金属硫族化合物的平台
材料科学
2020-10-26 v1
摘要
过渡金属硫族化合物（TMDs）表现出丰富的失稳现象，如自旋与电荷序、伊辛超导和拓扑性质。它们的物理性质可通过电双层场效应晶体管（FET）中的掺杂来控制。然而，对于单层 NbSe，FET 掺杂限制在 cm，而通过沉积 K 原子可获得稍大的电荷注入。在此，通过进行 ARPES、STM、准粒子干涉测量和第一性原理计算，我们表明由夹入 NbSe 和 LaSe 层形成的失配化合物表现为具有刚性掺杂的 NbSe 单层，每个 Nb 原子掺杂 个电子或 cm。由于这种巨大的掺杂， 电荷密度波被相干长度很短的 序所取代。由于通过用岩盐或其他层夹入 TMDs 层可获得数量庞大的不同失配化合物，我们的工作为在空前广泛的掺杂范围内探索重掺杂二维 TMDs 铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2010.12314,
title = {Misfit layer compounds: a platform for heavily-doped two-dimensional transition metal dichalcogenides},
author = {Raphaël T. Leriche and Alexandra Palacio-Morales and Marco Campetella and Cesare Tresca and Shunsuke Sasaki and Christophe Brun and François Debontridder and Pascal David and Imad Arfaoui and Ondrej Šofranko and Tomas Samuely and Geoffroy Kremer and Claude Monney and Thomas Jaouen and Laurent Cario and Matteo Calandra and Tristan Cren},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.12314},
year = {2020}
}