插层 1T 二维 SnSe2 中与间距相关且与掺杂无关的超导性
超导电性
2019-03-20 v1
摘要
过渡金属硫族化物（TMD）材料中弱的范德瓦耳斯层间相互作用为通过化学掺杂或物理门控技术研究其奇异电子性质提供了丰富平台。我们通过对化学插层的二维 1T-SnSe2 相中载流子密度与层间距 d 的精细调控，报道了高达 7.6 K 的体超导性。我们首次在二维 SnSe2 中发现，极性有机分子与碱金属 Li 共插层于基层之间，从而显著提高了超导转变温度 Tc。我们观察到在 Lix(THF)ySnSe2 体系中 Tc 随基层间距缩放，同时几乎与 x 无关。我们的结果提供了一条研究二维材料中丰富电子关联及电荷密度波与非传统超导性相互作用的新的通用化学途径。
引用
@article{arxiv.1903.08036,
title = {Spacing Dependent and Doping Independent Superconductivity in Intercalated 1T Two Dimensional SnSe2},
author = {Hanlin Wu and Sheng Li and Michael Susner and Sunah Kwon and Moon Kim and Timothy Haugan and Bing Lv},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.08036},
year = {2019}
}
备注
6 pgaes, 6 figures