ZrTe3中Ni插层引起的局部皱褶与持续电荷密度波
超导电性
2018-04-09 v1
摘要
通过研究Ni掺杂对能带结构和电荷密度波(CDW)的影响，探讨了过渡金属插层ZrTe3中体超导性涌现的机理。该研究报道了Ni0.01ZrTe3至Ni0.05ZrTe3范围内的理论与实验结果。在最高掺杂的样品中观察到Tc < TCDW的体超导性，而TCDW被强烈抑制。相对论性第一性原理计算表明，Ni优先通过插层进入范德瓦尔斯间隙中。对插层结构和电子效应的分析表明，邻近Ni位的Te片层发生屈曲，类似于局部稳定的类CDW晶格畸变。低温X射线衍射、角分辨光电子能谱(ARPES)以及温度依赖电阻率实验揭示了CDW几乎不变地持续进入体超导区域。发现CDW能隙在动量空间中的范围保持不变，能隙大小在Ni插层后也不变或可能略有减小。两项实验观测均表明超导性与CDW在NixZrTe3中共存。
引用
@article{arxiv.1712.06551,
title = {Local corrugation and persistent charge density wave in ZrTe3 with Ni intercalation},
author = {Alex M. Ganose and Liam Gannon and Federica Fabrizi and Hariott Nowell and Sarah Barnett and Hechang Lei and Xiangde Zhu and Cedomir Petrovic and David O. Scanlon and Moritz Hoesch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.06551},
year = {2018}
}
备注
10 pages