嵌入诱导的准自由层于 TiSe$_2$
材料科学
2025-11-06 v1
摘要
采用角度分辨光子能谱（ARPES）技术研究了块状 TiSe 掺杂钾离子前后的电子结构。室温沉积后观察到导带分为两个分支。当样品冷却至 40 K 时，分裂能增加至约 130 meV。一个分支表现出非色散的二维特征，而另一个分支显示出三维 bulk 能带色散的特征。核心能级光谱表明，K 掺杂物主要占据 van der Waals 间隙中的嵌入位点。结果表明形成了准自由的 TiSe 层。此外，掺杂完全抑制了表面区域的周期性晶格扭曲。这些发现得到密度泛函理论计算的进一步支持，这些计算将单层和块状 TiSe 的能带结构与实验数据进行比较。因此，通过本工作中所述的嵌入程序，可以控制 1T-TiSe 的维度和固有电子性质。
引用
@article{arxiv.2511.03712,
title = {Intercalation induced quasi-freestanding layer in TiSe$_2$},
author = {Turgut Yilmaz and Yi Sheng Ng and Anil Rajapitamahuni and Asish Kundu and Hui-Qiong Wang and Jin-Cheng Zheng and Elio Vescovo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.03712},
year = {2025}
}