钾插层诱导的 1$T$-HfTe$_2$ 维度缩减与能带量子化
材料科学
2019-07-12 v1
摘要
我们对过渡金属硫族化物 1-HfTe 进行了角分辨光电子能谱研究，以阐明钾（K）沉积过程中电子态的演化。在本征 HfTe 中，于布里渊区中心与角部分别观测到面内空穴袋与电子袋，表明体相 HfTe 的半金属性质及其垂直于平面的色散。相比之下，重钾剂量 HfTe 的能带结构与体相明显不同，且类似于单层 HfTe 的计算能带结构。亦观测到轻钾剂量 HfTe 的特征为源自双层与三层 HfTe 的量子化能带，表明存在阶梯插层（staging）。结果表明，由于系统性钾插层，在单一样品中经由阶梯插层发生了从三维（3D）到二维（2D）电子态的维度交叉。该研究为调控新型量子材料的维度与功能性提供了新策略。
引用
@article{arxiv.1907.04962,
title = {Dimensionality reduction and band quantization induced by potassium intercalation in 1$T$-HfTe$_2$},
author = {Y. Nakata and K. Sugawara and A. Chainani and K. Yamauchi and K. Nakayama and S. Souma and P. -Y. Chuang and C. -M. Cheng and T. Oguchi and K. Ueno and T. Takahashi and T. Sato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.04962},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 4 figures