二维过渡金属二硫族化合物半导体的 k·p 理论
介观与纳米尺度物理
2015-04-07 v3
摘要
我们提出了由 {\it ab initio} 密度泛函理论计算参数化的 哈密顿量，用于描述半导体单层过渡金属二硫族化合物原子晶体中价带和导带在极值点（六角布里渊区的 、、 和 点）的色散关系。我们回顾了 MoS、MoSe、WS 和 WSe 的 哈密顿量关键部分的参数化，包括能带的自旋分裂和自旋极化，并讨论了这些材料的振动特性。随后，我们利用 理论分析了二维过渡金属二硫族化合物在覆盖能带结构中 Van Hove 奇点（ 点）的宽光谱范围内的光学跃迁。我们还讨论了扫描隧道显微镜图谱的可视化。
引用
@article{arxiv.1410.6666,
title = {k.p theory for two-dimensional transition metal dichalcogenide semiconductors},
author = {Andor Kormányos and Guido Burkard and Martin Gmitra and Jaroslav Fabian and Viktor Zólyomi and Neil D. Drummond and Vladimir Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.6666},
year = {2015}
}
备注
topical review, 52 pages, 16 MB. The arXiv version contains a couple of more relevant experimental references, which have appeared very recently, than the published version