M 谷扭曲过渡金属硫化物的莫尔带理论
介观与纳米尺度物理
2025-11-07 v2
摘要
我们提出将某些族 IV 和 IVB 三角形过渡金属硫化物（TMDs） MX（MZr、Hf、Sn 和 XS、Se）构成扭曲双层结构作为莫尔材料。这些TMDs在单层形式中具有导带谷点位于三个不可等价布里渊赫兹 点的特性，且自旋轨道耦合可忽略不计，从而导致六种低能导带态的味道分裂。在单粒子水平上，味道子簇在扭曲双层中准确地由从小单元密度泛函理论计算得到的莫尔周期哈密顿量描述。由于谷投影哈密顿量具有较大的谷依赖质量各异性且满足时反演对称性，扭曲双层中出现的自发谷极化将通过传输中的各异性信号来表征，而非常在石墨和 谷TMD基的莫尔多层中的异常霍尔效应和磁光圆二色性信号。
引用
@article{arxiv.2411.18828,
title = {Moir\'{e} band theory for M-valley twisted transition metal dichalcogenides},
author = {Chao Lei and Perry T. Mahon and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.18828},
year = {2025}
}
备注
5+2+7 pages, 4+9 figures