Γ谷过渡金属硫族化物莫尔能带
强关联电子
2021-04-28 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
大多数VI族过渡金属硫族化物薄膜的价带极大值从块体到双层始终保持在Γ点。本文发展了由小相对扭转角在Γ谷同质双层膜价带中形成的莫尔微能带的连续介质理论。我们的有效理论通过与考虑晶格弛豫的大规模第一性原理电子结构计算进行基准比对。由于涌现的D_6对称性，我们发现低能Γ谷莫尔空穴在性质上不同于先前讨论的K谷对应物：按能量顺序，前三个能带分别实现 i) 蜂窝晶格上的单轨道模型，ii) 蜂窝晶格上的双轨道模型，以及 iii) 准晶（kagome）晶格上的单轨道模型。
引用
@article{arxiv.2008.01735,
title = {$\Gamma$-Valley Transition-Metal-Dichalcogenide Moir\`e Bands},
author = {M. Angeli and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.01735},
year = {2021}
}
备注
We added the Supplementary Material and corrected few typos