AB 堆叠过渡金属硫族化物双层中的自旋织构陈带
强关联电子
2021-10-04 v3
摘要
尽管基于过渡金属硫族化物（TMD）的莫尔材料已被证明承载多种关联电子现象，但拓扑态迄今尚未被实验观测到。本工作中，我们利用第一性原理计算与连续介质建模，揭示了 AB 堆叠 TMD 异双层 MoTe2/WSe2 中由位移场诱导的拓扑莫尔带。具有非平凡自旋织构的谷对比陈带，由 MoTe2 与 WSe2 名义上相反自旋的能带间层间杂化形成。我们的研究建立了在 AB 堆叠 TMD 双层中普遍创建拓扑带的方案，为实现量子自旋霍尔与相互作用诱导的量子反常霍尔效应提供了高度可调的平台。
引用
@article{arxiv.2107.02167,
title = {Spin-textured Chern bands in AB-stacked transition metal dichalcogenide bilayers},
author = {Yang Zhang and Trithep Devakul and Liang Fu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.02167},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 6 figures. Accepted at PNAS