连续模型中过渡金属硫族化合物单层的边界条件
介观与纳米尺度物理
2016-01-19 v2
摘要
我们在围绕 K 点的连续模型中，推导了 MoS 和具有相同类型 哈密顿量的类似过渡金属硫族化合物蜂窝状（2H 多型体）单层的边界条件。在有效的二能带描述中，还考虑了电子-空穴对称性破缺的二次项。我们使用先前已应用于石墨烯的线性边缘约束方法来模拟边缘效应。主要关注 zigzag 边缘，我们发现具有不同边缘原子的不同重构几何结构通常可以用一个在 0 到 之间变化的标量参数来描述。我们特别分析了 MoS 中的边缘态及其色散关系，发现其与先前各种边缘类型的密度泛函理论计算结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1509.00184,
title = {Boundary conditions for transition-metal dichalcogenide monolayers in the continuum model},
author = {Csaba G. Péterfalvi and Andor Kormányos and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.00184},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 6 figures