单层二硫化钼中氧化刻蚀的原子过程
材料科学
2018-11-13 v1
摘要
利用关联透射电镜-刻蚀研究，在原子尺度上探究了二维二硫化钼(2D MoS2)的氧化刻蚀微观过程。在氧化刻蚀前后，通过透射电镜对石墨烯透射电镜载网上的MoS2薄片进行精确追踪与表征。这使我们能够以原子分辨率确定畴边缘、取向良好的三角形凹坑以及沿晶界的结构变化。我们观察到刻蚀多从开放边缘、晶界和预存原子缺陷处开始。锯齿形Mo边缘被确定为三角形凹坑的主要终止端，并在刻蚀边缘观察到显著的台阶与沟槽。基于统计透射电镜分析，我们揭示了二维MoS2中氧化刻蚀动力学的可行路径，其亦应适用于其他二维过渡金属硫族化合物材料如MoSe2和WS2。
引用
@article{arxiv.1811.04242,
title = {Atomic process of oxidative etching in monolayer molybdenum disulfide},
author = {Danhui Lv and Hulian Wang and Dancheng Zhu and Jie Lin and Guoli Yin and Fang Lin and Ze Zhang and Chuanhong Jin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04242},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 5 figures