MoS2 的缺陷调控氧化刻蚀
材料科学
2019-12-06 v1
摘要
我们报道了一种用于选择性刻蚀双层和单层 MoS 的简单技术。在这项工作中，在气体离子显微镜中以 30 keV 的低剂量 He 照射 MoS 的选定区域，以激活其氧吸附与反应。利用拉曼光谱、光学显微镜和扫描电子显微镜对刻蚀特征及剩余材料进行了表征。研究发现，通过预处理引入缺陷，MoS 可在空气中加热而被非常高效地、且具有高区域特异性地刻蚀。
引用
@article{arxiv.1906.04850,
title = {Defect-Moderated Oxidative Etching of MoS2},
author = {Pierce Maguire and Jakub Jadwiszczak and Maria O'Brien and Darragh Keane and Georg S. Duesberg and Niall McEvoy and Hongzhou Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.04850},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 6 figures