单层 MoS$_2$ 中光学活性缺陷的超灵敏消光测量
介观与纳米尺度物理
2022-12-21 v1 材料科学
摘要
我们利用腔增强消光光谱直接量化了由氦离子轰击在 MoS 中产生的缺陷的光吸收。我们实现了特定缺陷模式的高光谱成像，检测极限低于 0.01% 的消光，对应可检测的缺陷密度低于 cm。相应的光谱揭示了宽泛的亚带隙吸收，这与 MoS 中硫空位束缚激子的理论预测相一致。我们的结果突出了腔增强消光光谱作为检测弱吸收纳米级薄膜中光学跃迁的有效手段，适用于广泛的材料。
引用
@article{arxiv.2212.10231,
title = {Ultra-Sensitive Extinction Measurements of Optically Active Defects in Monolayer MoS$_2$},
author = {Florian Sigger and Ines Amersdorffer and Alexander Hötger and Manuel Nutz and Jonas Kiemle and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Michael Förg and Jonathan Noe and Jonathan J. Finley and Alexander Högele and Alexander W. Holleitner and Thomas Hümmer and David Hunger and Christoph Kastl},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.10231},
year = {2022}
}
备注
17 pages main manuscript, 7 pages supporting information