基于 T 矩阵方法的激子-缺陷相互作用与光学性质

理解激子-缺陷相互作用对于优化众多材料中的光电子和量子信息应用至关重要。然而，具有缺陷密度的材料性质的 ab initio 模拟往往受限于高缺陷密度。本文采用第一性原理 T 矩阵方法研究单层 MoS2 中激子-缺陷相互作用对光学吸收和光致发光谱的影响。我们展示，激子-缺陷结合态可以通过 T 矩阵近似法处理的无序平均 Green 函数捕获，并进一步分析其光学性质。该方法得到的光致发光谱与实验结果良好一致，为从第一性原理模拟无序二维材料的光学性质提供了一种新型、计算效率更高的框架。