单层 MoS$_2$ 中带电缺陷的光学性质
材料科学
2023-07-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们给出了含带电缺陷的单层 MoS 光学谱的理论计算。特别地，我们基于 MoS 电子结构的原子级紧束缚模型求解 Bethe-Salpeter 方程，该模型允许对大超胞进行计算。缺陷被建模为一个点电荷，其势由 MoS 电子屏蔽。我们发现该缺陷在第一个自由激子峰下方约 100-200 meV 处引发新的光学谱峰。这些峰源于涉及带电缺陷诱导的带隙内束缚态的跃迁。我们的结果与实验测量吻合良好。
引用
@article{arxiv.2307.04268,
title = {Optical Properties of Charged Defects in Monolayer MoS$_2$},
author = {Martik Aghajanian and Arash A. Mostofi and Johannes Lischner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.04268},
year = {2023}
}