缺陷 MoS$_2$ 与 WS$_2$ 单层的光电性质
介观与纳米尺度物理
2018-05-25 v1
摘要
我们基于 Slater-Koster 紧束缚模型并包含自旋轨道耦合，从理论上探究金属与二硫空位对 MoS 和 WS 单层电子与光学性质的影响。我们表明，空位缺陷通过将费米能级移向价带而创造电子平带，说明两类空位均可作为受主位点。原始单层的光学谱显示出对应于自旋分裂价带到导带极小值跃迁的阶跃状特征，而缺陷单层因其能带结构中诱导的中带隙态而在谱中呈现额外峰。我们发现 Mo 与 W 空位主要在低能光学谱中贡献，而 S 空位主要增强光谱可见光范围内的光学电导率。这表明依空位类型不同，MoS 与 WS 单层中的原子缺陷可提高光伏系统中太阳能电池的效率。
引用
@article{arxiv.1805.09532,
title = {Optoelectronic properties of defective MoS$_2$ and WS$_2$ monolayers},
author = {Saboura Salehi and Alireza Saffarzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.09532},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 5 figures, 1 table