MoS$_2$ 与 WS$_2$ 单层中的原子空位缺陷态
介观与纳米尺度物理
2016-05-30 v1
摘要
采用包含非正交 轨道并考虑自旋轨道耦合的 Slater-Koster 紧束缚模型，研究了不同浓度原子空位缺陷对 MoS 和 WS 单层电子性质的影响。空位缺陷的存在会在原始 MoS 和 WS 的带隙中诱导出局域态，这些局域态有可能改变体系的电子结构，具体取决于缺陷的类型和浓度。研究表明，尽管金属（Mo 或 W） 轨道在带隙中间态的形成中占主导地位，但当引入金属缺陷时，硫的 和 轨道在局域态中也有相当的贡献。我们的结果表明，Mo 和 W 缺陷可使单层转变为 p 型半导体，而硫缺陷使体系成为 n 型半导体，这与第一性原理结果和实验观测一致。
引用
@article{arxiv.1605.08756,
title = {Atomic defect states in monolayers of MoS$_2$ and WS$_2$},
author = {Saboura Salehi and Alireza Saffarzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.08756},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 7 figures