MoS2 中的缺陷、能带弯曲与电离环
材料科学
2023-07-19 v1 其他凝聚态物理
摘要
过渡金属硫族化物中的硫族空位被广泛认为是施主掺杂源和 Disorder（无序）的来源。然而，MoS2 中硫空位的电子结构仍存在争议，文献中关于通过扫描隧穿谱（STS）在单个硫空位上观测到的带隙内特征的起源存在分歧。在此，我们结合使用扫描隧穿显微镜（STM）和 STS 研究块体 MoS2 晶体中的嵌入硫空位。我们观测到在实空间与能量上均发生色散的谱学特征，将其解释为由于针尖诱导能带弯曲（TIBB）导致的硫空位施主随针尖位置和偏压变化的电离。这些观察表明，在将缺陷谱解释为反映带隙内态密度时必须谨慎，并可能解释文献中的分歧。
引用
@article{arxiv.2307.09046,
title = {Defects, band bending and ionization rings in MoS2},
author = {Iolanda Di Bernardo and James Blyth and Liam Watson and Kaijian Xing and Yi-Hsun Chen and Shao-Yu Chen and Mark T. Edmonds and Michael S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.09046},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 5 figures