通过 FET 特性中观测到的随机电报信号分析实验探测少层 MoS2 中的活性缺陷
材料科学
2016-12-23 v1
摘要
过渡金属二硫化物（TMDs），如二硫化钼（MoS2），有望用于下一代器件应用。然而，MoS2 中形成的硫空位可能使器件不稳定并产生问题。在小面积硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）中，经常通过研究随机电报信号来识别缺陷处的载流子俘获与发射过程。本文系统分析了在原子级薄层 MoS2 FETs 中观测到的 RTSs。分析了几种类型的 RTSs：第一种是简单的开/关型电报信号，第二种是简单信号叠加的多级电报信号，第三种是彼此相关的多级电报信号。最后一种是从原子受限二维电子气系统中弱屏蔽的 MoS2 FETs 中缺陷-缺陷相互作用的角度进行讨论的。此外，通过制备多探针 MoS2 FETs，还研究了引起 RTSs 的缺陷位置。通过局部照射电子束，在 MoS2 沟道中故意产生缺陷。这清楚地证明了 MoS2 沟道是 RTSs 的起源之一。RTS 分析使我们能够分析 TMD 器件的缺陷动力学。
引用
@article{arxiv.1612.07556,
title = {Experimental detection of active defects in few layers MoS2 through random telegraphic signals analysis observed in its FET characteristics},
author = {Nan Fang and Kosuke Nagashio and Akira Toriumi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.07556},
year = {2016}
}